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MC方案|在大面積上表征薄膜厚度均勻性

更新時間:2019-04-09      點擊次數(shù):1767

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通過白光反射光譜(WLRS)和FR映射器繪制薄膜厚度              

目標:在大面積上表征薄膜厚度均勻性。

 

測量方法:采用Fr-Basic與Fr-Mapper相結合的方法,在大面積的預定點上快速、準確地測量薄膜厚度。當樣品固定在一個Fr-Mapper上時,所有的測量都用一個Fr-Basic進行調(diào)節(jié),使其在540-1000納米的光譜范圍內(nèi)工作。反射探頭的有效光斑直徑為0.5毫米。樣品是涂有SiO2(熱的或TEOS)和Si3N4(LPCVD)/SiO2(熱的)4英寸硅晶片。在參考測量中,使用了高反射鍍鋁鏡(NT01-913-533,Edmund光學)。

 

結果:在圖1中,顯示了硅晶片(藍色)上的掃描區(qū)域(紅色)。有意地將6x6cm2掃描區(qū)域的中心向左下角移動。圖2a顯示了Teos SiO2的厚度值。在兩個軸上以2毫米的步幅測量薄膜厚度(總共961次測量)。計算平均厚度為635.07nm,標準差為4.24nm。小厚度為623.13nm,大厚度為641.35nm。在圖2b中,顯示了相同掃描區(qū)域熱生長SiO2(濕氧化)的膜厚值。在兩個軸上以2毫米的步幅測量厚度(總共961次測量)。平均厚度為697.29nm,標準差為0.93nm。小厚度為697.22nm,大厚度為701.32nm。熱生長SiO2的薄膜厚度變化明顯較小,而且薄膜厚度梯度呈現(xiàn)徑向?qū)ΨQ性,而Teos薄膜則并非如此。圖3顯示了Si3N4/SiO2疊層中的膜厚值。

360截圖16421101445770.jpg

360截圖16640322117156148.jpg

 

結論:Fr-Mapper與Fr-Basic連接,在單層和多層膜厚測繪中取得了成功。

 

FR-pRo.bmp

Fr-Basic

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